Che cos'è la memoria 3D V-NAND e come si differenzia dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO)
Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position
Abilita la modalità Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati; infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
Durabilità e affidabilità garantite, supportate dalla tecnologia V-NAND 3D
Rispetto alla generazione precedente 840 EVO*, l'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW, con una garanzia di 5 anni leader nel mercato. L'850 EVO consente miglioramenti delle prestazioni fino al 30%**, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili al mondo.
Efficienza energetica grazie alla V-NAND 3D
L'850 EVO ha introdotto la modalità Sleep del dispositivo a 2 mW e con la rivoluzionaria tecnologia 3D V-NAND (con consumi ridotti del 50% rispetto alla tecnologia planare 2D NAND), garantisce un incremento pari al 25% in termini di efficienza energetica nel corso delle operazioni di scrittura*.
Tanti formati per tutte le esigenze
Il nuovo 850 EVO è ora compatibile con tutti i tuoi device: scopri il formato mSATA, snello e sottile, con interfaccia SATA. E' perfetto per aumentare le prestazioni dei PC portatili ultra sottili.
Sicurezza e protezione dei dati
L'850 EVO è dotato delle più recenti tecnologie di crittografia basate su hardware. La tecnologia di crittografia AES 256 mette al sicuro i dati senza ridurre il livello delle prestazioni ed è conforme a TCG Opal 2.0. Inoltre è compatibile con l'e-drive IEEE1667 Microsoft in modo che i dati siano sempre protetti per la tua massima tranquillità.
Dynamic Thermal Guard
L'850 EVO include la protezione Dynamic Thermal Guard che tiene il tuo SSD al sicuro dal calore. La protezione Dynamic Thermal Guard controlla la temperatura di esercizio ottimale con una funzione che abbassa automaticamente la temperatura dell'SSD quando serve, proteggendo i tuoi dati e garantendoti la velocità di elaborazione che ti aspetti.
Passa a un livello superiore
In tre semplici mosse, il software One-stop Install Navigator di Samsung ti consente facilmente di migrare tutti i dati e le applicazioni dall'archiviazione primaria esistente all'850 EVO. Il software Magicial Samsung ti consente anche di ottimizzare e gestire il tuo sistema per il tuo SSD.
Sinergia dei componenti
Samsung è l'unico marchio di SSD a progettare e produrre tutti i suoi componenti in-house consentendo la completa integrazione ottimizzata. Il risultato? Prestazioni incredibili, consumo energetico ridotto, memoria cache DRAM LPDDR2 fino a 1 GB ed efficienza energetica migliorata grazie al controller MEX / MGX
Samsung MZ-M5E500. Capacità SSD: 500 GB, Dimensione SSD: mSATA, Velocità di lettura: 540 MB/s, Velocità di scrittura: 520 MB/s, Velocità di trasferimento dati: 6 Gbit/s
| Caratteristiche |
| Dimensione SSD | mSATA |
| Capacità SSD | 500 GB |
| Interfaccia | SATA |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Velocità di trasferimento dati | 6 Gbit/s |
| Velocità di lettura | 540 MB/s |
| Velocità di scrittura | 520 MB/s |
| Lettura casuale (4KB) | 97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale (4KB) | 88000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Supporto TRIM | Sì |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Classificazione per TBW | 150 |
| Gestione energetica |
| Tensione di esercizio | 5 V |
| Condizioni ambientali |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C |
| Range di umidità di funzionamento | 5 - 95% |
| Umidità | 5 - 95% |
| Shock di funzionamento | 1500 G |
| Dimensioni e peso |
| Larghezza | 30 mm |
| Profondità | 38,1 mm |
| Altezza | 50,8 mm |
| Peso | 9,07 g |
| Altre caratteristiche |
| Colore del prodotto | Verde |
| Interno | Sì |
