Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).
Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.
Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
Samsung MZ-75E1T0. Capacità SSD: 1000 GB, Dimensione SSD: 2.5", Velocità di lettura: 540 MB/s, Velocità di scrittura: 520 MB/s, Velocità di trasferimento dati: 6 Gbit/s
| Caratteristiche |
| Dimensione SSD | 2.5" |
| Capacità SSD | 1000 GB |
| Interfaccia | Serial ATA III |
| Tipo memoria | MLC |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Velocità di trasferimento dati | 6 Gbit/s |
| Velocità di lettura | 540 MB/s |
| Velocità di scrittura | 520 MB/s |
| Lettura casuale (4KB) | 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale (4KB) | 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Supporto TRIM | Sì |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Sistema operativo Windows supportato | Sì |
| Gestione energetica |
| Consumo di energia (in lettura) | 3,7 W |
| Consumo di energia (in scrittura) | 4,4 W |
| Consumo energetico (in sospensione) | 0,004 W |
| Consumo energetico (inattivo) | 0,05 W |
| Condizioni ambientali |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C |
| Range di umidità di funzionamento | 5 - 95% |
| Umidità | 5 - 95% |
| Vibrazione di non-funzionamento | 20 G |
| Shock di funzionamento | 1500 G |
| Shock di non-funzionamento | 1500 G |
| Dimensioni e peso |
| Larghezza | 69,8 mm |
| Profondità | 100 mm |
| Altezza | 6,8 mm |
| Peso | 53 g |
| Altre caratteristiche |
| Colore del prodotto | Nero |
| Interno | Sì |
