Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

Name: Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
Brand: SAMSUNG
SKU: MZ-V9E1T0BW
Price: 194.26 EUR
Availability: InStock

Riferimento MZ-V9E1T0BW

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Codice MePA: CEMZ-V9E1T0BW

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Samsung 990 EVO, 1 TB, M.2, 5000 MB/s

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Descrizione

Samsung 990 EVO. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 5000 MB/s, Velocità di scrittura: 4200 MB/s, Componente per: Universale

Caratteristiche
Dimensione SSD	M.2
Capacità SSD	1 TB
Interfaccia	PCI Express 4.0
Tipo memoria	V-NAND TLC
NVMe	Sì
Versione di NVMe	2.0
Componente per	Universale
criptaggio hardware	Sì
Algoritmi di sicurezza supportati	256-bit AES
Velocità di lettura	5000 MB/s
Velocità di scrittura	4200 MB/s
Dimensioni dell'unità SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Revisione PCI Express CEM	4.0
Supporto TRIM	Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF)	1500000 h
Classificazione per TBW	600
Gestione energetica
Tensione di esercizio	3,3 V
Consumo di energia (in lettura)	4,9 W
Consumo di energia (in scrittura)	4,5 W
Consumo energetico (in sospensione)	0,005 W
Consumo energetico (inattivo)	0,06 W
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento	0 - 70 °C
Intervallo di temperatura	-40 - 85 °C
Range di umidità di funzionamento	5 - 95%
Umidità	5 - 95%
Vibrazione di non-funzionamento	20 G
Shock di non-funzionamento	1500 G
Dimensioni e peso
Larghezza	80,2 mm
Profondità	22,1 mm
Altezza	2,38 mm
Peso	9 g
Dati su imballaggio
Tipo di imballo	Scatola